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OPTEK Technology Inc.  1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006 
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Issue A .1 01/06
Page 2 of 3
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Wide Gap Optical Sensor
OPB856Z
 
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25癈 unless otherwise noted)
Storage & Operating Temperature Range
-40?C to +85?C
Input Diode (See OP165 for additional information)
Continuous Forward DC Current
40 mA
Reverse Voltage
2 V
Power Dissipation
(1)
 
100 mW
Output Phototransistor (See OP505 for additional information)
Collector-Emitter Voltage
30 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Power Dissipation
(1)
 
100 mW
Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6 mm) from case for 5 seconds with soldering iron]
260?C
Notes:
(1) Derate linearly 1.67 mW/癈 above 25 ?C..
(2) Distance between lenses along the optical axis is d.
(3) All parameters tested using pulse technique.
Electrical Characteristics (T
A
 = 25rC unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (See OP9999 for additional information)
V
F
    Forward Voltage
-    -    1.7    V   I
F
 = 20 mA
I
R
    Reverse Current
-    -    100    礎   V
R
 = 2 V
Output Phototransistor (See OP9999 for additional information)
V
(BR)CEO
  Collector-Emitter Breakdown Voltage    30    -     -     V   I
C
 = 100 礎
V
(BR)ECO
  Emitter-Collector Breakdown Voltage    5    -     -     V   I
E
 = 100 礎
I
CEO
   Collector Dark Current
-    -    100    nA   V
CE
 = 10 V, I
F
 = 0, E
E
 = 0
Combined
I
C(ON)
   On-State Collector Current
(3)
 
1.8    -     -    mA   V
CE
 = 5 V, I
F
 = 20 mA, d = 2
(
(50.8 mm)
(2)
 
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